Ränikarbiidi poleerimine
Praegu hõlmavad ränikarbiidi poleerimismeetodid peamiselt järgmist: mehaaniline poleerimine, magnetorheoloogiline poleerimine, keemiline mehaaniline poleerimine (CMP), elektrokeemiline poleerimine (ECMP), katalüsaatoriga poleerimine või katalüütiliselt söövitatud (CACP / CARE) ja tribokeemiline poleerimine (TCP) ). , tuntud ka kui mitteabrasiivne poleerimine ja plasmaabiline poleerimine (PAP).
Keemilise mehaanilise poleerimise (CMP) tehnoloogia on praegu oluline pooljuhtide töötlemise vahend ja see on ka kõige tõhusam protsess üksikristallilise räni pinna töötlemisel aatomi tasemele. See on ainus praktiline viis kohaliku ja globaalse planeerimise saavutamiseks samal ajal. tehnoloogia.
CMP töötlemise efektiivsus määratakse peamiselt tooriku pinna keemilise reaktsiooni kiirusega. Uurides protsessiparameetrite mõju ränidioksiidi materjalide poleerimise kiirusele, näitasid tulemused, et pöörlemiskiiruse ja poleerimisrõhu mõju on suur; poleerimislahuse temperatuuril ja pH-l on vähe mõju. Materjali poleerimise kiiruse suurendamiseks tuleks pöörlemiskiirust võimalikult palju suurendada. Kuigi poleerimisrõhku suurendatakse eemaldamiskiiruse suurendamiseks, on poleerimispadja kergesti kahjustatud.
Praegusel ränikarbiidi poleerimismeetodil on probleeme madala materjali eemaldamise kiiruse ja kõrgete kuludega ning töötlemismeetodid nagu abrasiivne terade poleerimine ja katalüütiline lisatöötlus on nõudlike tingimuste ja seadme keeruka töö tõttu endiselt laboratooriumis. Masstoodangu realiseerimine on ebatõenäoline.
Esmakordselt avastasid inimesed 1905. aastal meteoriitidest räni karbiidi. Ränikarbiidil on nüüd peamiselt tehissünteesist palju kasutusvõimalusi. Sellel on suur vaheulatus ja seda saab kasutada päikeseenergia päikeseenergia tööstuses, näiteks monokristalliline räni, polükristalliline räni, kaalium arseniid, kvartskristall jne. Pooljuhtide tööstus, piesoelektriliste kristallide tööstuses kasutatavad tehnilised töötlemismaterjalid
